随着LED行业的不断发展，LED发光二极管已经向高效率，大功率等方面快速发展，LED的功率越大，散热性的材料的需求就越高，散热材料的开发已经成为LED的重要问题。一般LED的发光效率和使用寿命会随结晶的增加而下降，当结晶温度达到125℃以上时，LED会出现失效的可能,为使LED结温保持在较低温度下，必须采用高热导率、低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺，以降低LED总体的封装热阻。现阶段常用基板材料有si材料、金属及金属合金材料、陶瓷和复合材料等，Si金属成本高及金属合金材料的固有导电性、热膨胀系数与芯片材料不匹配，陶瓷材料难加工等缺点，均很难同时满足大功率基板的各种性能要求。
现阶段功率型LED封装技术常选用的散热基板主要有环氧树脂覆铜基板、金属基覆铜基板、金属基复合基板、陶瓷覆铜基板等。
1、环氧树脂覆铜基板是传统电子封装中应用*广泛的基板,只有是成本低，易加工，但由于热导率低，耐高温性差，只适用于小功率LED。
2、金属基覆铜基板具有优异的散热性，它已成为目前大功率LED散热基板市场上应用*广泛的产品，导致热量不能很好的从芯片直接传到金属底座上；金属Cu、Al的热膨胀系数较大，可能造成比较严重的热失配问题。
3、金属基复合基板具代表性的材料是铝碳化硅。铝碳化硅是将SiC陶瓷的低膨胀系数和金属Al的高导热率结合在一起的金属基复合材料，它综合了两种材料的优点，具有低密度、低热膨胀系数、高热导率、高刚度等一系列优异特性。AlSiC的热膨胀系数可以通过改变SiC的含量来加以调试，使其与相邻材料的热膨胀系数相匹配，从而将两者的热应力减至*小。
4、陶瓷基板材料常见的主要有Al2O3、氮化铝、SiC、BN、BeO、Si3N4等,陶瓷基板，机械强度，能用作为支持构件，导热系数大，热膨胀系数与Si和GaAs等芯片材料相匹配，耐热性能良好，介电常数低，介电损耗小，绝缘电阻及绝缘破坏电高，在高温、高湿度条件下性能稳定，可靠性高。化学稳定性好，无吸湿性；耐油、耐化学药品；无毒、无公害、α射线放出量小；晶体结构稳定，在使用温度范围内不易发生变化；原材料资源丰富。
现阶段Al2O3和BeO陶瓷是大功率封装两种主要基板材料。但这基板材料都各存在缺点，Al2O3的热导率低，热膨胀系数与芯片材料不匹配；BeO虽然具有优良的综合性能，但生产成本较高和有剧毒。因此，从性能、成本和环保等方面考虑，这两种基板材料均不能作为今后大功率LED器件发展*理想材料。氮化铝陶瓷具有高热导率、高强度、高电阻率、密度小、低介电常数、无毒、以及与Si相匹配的热膨胀系数等优异性能，将逐步取代传统大功率LED基板材料，成为今后具发展前途的一种陶瓷基板材料。
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